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IGBT/IGBT模块
详细介绍2222222:
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
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